삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM4)에 탑재될 10나노미터(㎚)급 6세대(1c) D램 수율을 최근 빠르게 끌어올리며 연내 HBM4 양산에 청신호를 켰다. 과감한 재설계 결정과 공정 최적화 작업이 수율 개선을 이끌었다는 평가가 나온다